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首頁 >FCD9N60N>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FCD9N60N	文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 文件：784.87 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FCD9N60NTM	文件：353.76 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 385mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：353.76 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
FCD9N60NTM	文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 文件：784.87 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FCD9N60N	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FCD9N60NTM	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 溝道，SUPREMOS?，F(xiàn)AST，600 V，9 A，385 mΩ，DPAK SupreMOS? MOSFET是飛兆半導(dǎo)體的下一代高壓超級(jí)結(jié)（SJ）技術(shù)，該技術(shù)采用區(qū)別于傳統(tǒng)SJ MOSFET產(chǎn)品的深溝槽填充工藝。這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)和精密的工藝控制提供了最低的 Rsp on-resistance（導(dǎo)通電阻規(guī)格），卓越的開關(guān)性能和耐用性。 SupreMOS MOSFET技術(shù)適用于高頻開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正(PFC)、服務(wù)器/電信電源、平板電視電源、ATX電源及工業(yè)電源應(yīng)用。 ?RDS(on) = 330m? （典型值） @ VGS = 10V, ID = 4.5A\n?超低柵極電荷（典型值 Qg = 17.8nC )\n?低有效輸出電容（典型值 Coss.eff = 122pF ）\n?100%經(jīng)過雪崩測試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
600
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
9
PD Max (W)：
92.6
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
385
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
17.8
Ciss Typ (pF)：
735
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	FCD9N60N	FSC	12+	TO-252	15000	全新原裝,絕對(duì)正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	FCD9N60N	FAIRCHILD	20+	TO-252	38900	原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
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更多FCD9N60N供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 11:03:00

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