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F313PI	文件：231.16 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS 文件：231.16 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
F313PI	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS	ST 意法半導(dǎo)體	ST
F-313X	文件：241.31 Kbytes Page：3 Pages	ChassisMount SingleSecondary 文件：241.31 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	TRIAD	TRIAD
FDG313N	文件：713.24 Kbytes Page：8 Pages	Digital FET, N-Channel General Description This N-Channel enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage 文件：713.24 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FGT313	文件：175.58 Kbytes Page：4 Pages	Selection Guide SANKEN IGBT FGT313, FGT312, FGT412, FGT612, FGM622S, FGM603, FGM623S, MGD623N, MGD623S 文件：175.58 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SANKEN 三墾	SANKEN

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更多F313PI供應(yīng)商更新時間2026-1-20 11:06:00