Digital FET, N-Channel

General Description This N-Channel enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage

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FAIRCHILD

仙童半導體

N 溝道，數(shù)字 FET，25V，0.95A，0.45Ω

該N溝道增強模式場效應晶體管采用飛兆專有的高單元密度DMOS技術生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應用設計，以替代雙極性數(shù)字晶體管和小信號MOSFET。 0.95 A，25 V。 RDS(on) = 0.45 Ω @ VGS = 4.5 V。 RDS(on) = 0.60 Ω @ VGS = 2.7 V。\n 低柵極電荷（1.64nC典型值）\n 極低電平的柵極驅動要求允許直接在3 V電路(VGS(th)1.5V)中進行操作。\n 柵源齊納二極管可實現(xiàn)ESD穩(wěn)固性（6kV人體模型）。\n 緊湊的工業(yè)標準SC70-6表面貼裝封裝。;

ONSEMI

安森美半導體

Selection Guide

SANKEN IGBT FGT313, FGT312, FGT412, FGT612, FGM622S, FGM603, FGM623S, MGD623N, MGD623S

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SANKEN

三墾

USB2.0 HS Embedded Host Controller

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FTDI

飛特帝亞

USB2.0 HS Embedded Host Controller

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FTDI

飛特帝亞