EG2183大功率MOS管、IGBT管柵極驅動芯片

??EG2183是一款高性價比的大功率MOS管、IGBT管柵極驅動專用芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區(qū)時控制電路、閉鎖電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅動電路，專用于無刷電機控制器中的驅動電路。??EG2183高端的工作電壓可達600V，低端Vcc的電源電壓范圍寬3.5V～20V，靜態(tài)功耗小于20uA。該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時導通，輸入通道HIN內(nèi)建了一個200K下拉電阻，LIN內(nèi)建了上拉5V高電位，在輸入懸空時使上、下功率MOS管處于關閉狀態(tài),輸出電流能力IO +/-2/2.5A，采用SOP8封裝。 ·高端懸浮自舉電源設計，耐壓可達600V\n ·適應5V、3.3V輸入電壓\n ·最高頻率支持 500KHZ\n ·低端VCC電壓范圍3.5V-20V\n ·輸出電流能力IO +/- 2A/2.5A\n ·內(nèi)建死區(qū)控制電路\n ·自帶閉鎖功能，徹底杜絕上、下管輸出同時導通\n ·HIN輸入通道高電平有效，控制高端HO輸出\n ·LIN輸入通道高電平有效，控制低端LO輸出\n ·外圍器件少\n ·靜態(tài)電流小于5uA，非常適合電池場合\n ·封裝形式：SOP-8;

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HIgh-Power MOS tube driver chip

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高壓600V2A驅動芯片

EG2183D 是一款高性價比的大功率 MOS 管、IGBT 管柵極驅動專用芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區(qū)時控制電路、閉鎖電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅動電路，專用于無刷電機控制器中的驅動電路。高端工作電壓可達 600V，低端 Vcc 的電源電壓范圍寬 8V - 20V，靜態(tài)功耗小于 300uA。該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時導通，輸入通道 HIN 內(nèi)建了一個 200K 下拉電阻，LIN 內(nèi)建了上拉 5V 高電位，在輸入懸空時使上、下功率 MOS 管處于關閉狀態(tài)，輸出電流能力為 I0+/-2/2.5A，采用 SOP8 封裝。 ? 高端懸浮自舉電源設計，耐壓可達 600V\n? 適應 5V、3.3V 輸入電壓\n? 最高頻率支持 500KHZ\n? 低端 VCC 電壓范圍 8V - 20V\n? 輸出電流能力 IO+/- 2A/2.5A\n? 內(nèi)建死區(qū)控制電路\n? 自帶閉鎖功能，徹底杜絕上、下管輸出同時導通\n? HIN 輸入通道高電平有效，控制高端 HO 輸出\n? LIN 輸入通道低電平有效，控制低端 LO 輸出\n? 外圍器件少\n? 封裝形式：SOP8\n? 無鉛無鹵符合 ROHS 標準;

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高壓650V2A驅動芯片

EG2183Q 是一款高性價比的大功率 MOS 管、IGBT 管柵極驅動專用芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區(qū)時控制電路、閉鎖電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅動電路，專用于無刷電機控制器中的驅動電路。高端工作電壓可達 650V，低端 VCC 的電源電壓范圍寬 10V - 20V，靜態(tài)功耗小于 200uA。該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時導通，輸入通道 HIN 內(nèi)建了一個 250K 下拉電阻，LIN 內(nèi)建了上拉到高電位，在輸入懸空時使上、下功率 MOS 管處于關閉狀態(tài)，輸出電流能力為 1O+/-2/2.5A，采用 SOP8 封裝。 ? 高端懸浮自舉電源設計，耐壓可達 650V\n? 適應 5V、3.3V 輸入電壓\n? 最高頻率支持 500KHZ\n? VCC 和 VB 電源帶欠壓保護\n? 低端 VCC 電壓范圍 10V - 20V\n? 輸出電流能力 IO+/- 2A/2.5A\n? 內(nèi)建死區(qū)控制電路\n? 自帶閉鎖功能，徹底杜絕上、下管輸出同時導通\n? HIN 輸入通道高電平有效，控制高端 HO 輸出\n? LIN 輸入通道低電平有效，控制低端 LO 輸出\n? 外圍器件少\n? 封裝形式：SOP8\n? 無鉛無鹵符合 ROHS 標準;

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