高壓650V2A驅(qū)動(dòng)芯片

EG2183Q 是一款高性價(jià)比的大功率 MOS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動(dòng)專用芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)時(shí)控制電路、閉鎖電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，專用于無刷電機(jī)控制器中的驅(qū)動(dòng)電路。高端工作電壓可達(dá) 650V，低端 VCC 的電源電壓范圍寬 10V - 20V，靜態(tài)功耗小于 200uA。該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時(shí)導(dǎo)通，輸入通道 HIN 內(nèi)建了一個(gè) 250K 下拉電阻，LIN 內(nèi)建了上拉到高電位，在輸入懸空時(shí)使上、下功率 MOS 管處于關(guān)閉狀態(tài)，輸出電流能力為 1O+/-2/2.5A，采用 SOP8 封裝。 ? 高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)，耐壓可達(dá) 650V\n? 適應(yīng) 5V、3.3V 輸入電壓\n? 最高頻率支持 500KHZ\n? VCC 和 VB 電源帶欠壓保護(hù)\n? 低端 VCC 電壓范圍 10V - 20V\n? 輸出電流能力 IO+/- 2A/2.5A\n? 內(nèi)建死區(qū)控制電路\n? 自帶閉鎖功能，徹底杜絕上、下管輸出同時(shí)導(dǎo)通\n? HIN 輸入通道高電平有效，控制高端 HO 輸出\n? LIN 輸入通道低電平有效，控制低端 LO 輸出\n? 外圍器件少\n? 封裝形式：SOP8\n? 無鉛無鹵符合 ROHS 標(biāo)準(zhǔn);

EGmicro

屹晶微電子

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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RENESAS

瑞薩

TYPEC/PD2.0/PD3.0 Physical Layer IC for USB TYPEC input Interfaces

1. Features ? Support TYPEC/PD2.0/PD3.0 UFP mode for USB TYPEC input port ? Auto-detect USB connection condition ? Integrate USB Power Delivery (PD2.0/PD3.0) protocol ? Integrate hardware bi-phase Mark Coding (BMC) over CC ? Integrate physical layer ? Hardware CRC protect data integrity

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INJOINIC

英集芯科技

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR2183(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable rugge dized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS o

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IRF