STANDARD RECOVERY DIODE

FEATURES ? Wide current range ? High voltage ratings up to 6000 V ? High surge current capabilities ? Diffused junction TYPICAL APPLICATIONS ? Converters ? Power supplies ? Machine tool controls ? High power drives ? Medium traction applications

文件：464.09 Kbytes 頁數：5 Pages

IRI

DiskStation DS2015xs

●● Excellent performance of 1,930.18 MB/s sequential read throughput and 54,654.84 sequential read IOPS1 ●● 2 x 10Gbps SFP+ ports and 2 x 1Gbps RJ-45 ports with Failover and Link Aggregation support ●● Scale up to 20 drives with Synology DX12152 ●● Expandable RAM module (up to 8GB) ●●

文件：1.20835 Mbytes 頁數：4 Pages

SYNOLOGY

群暉科技

2k x 8 3V/5V Operation Static RAM

DESCRIPTION The DS2016 2k x 8 3V/5V Operation Static RAM is a 16,384-bit, low-power, fully static random access memory organized as 2048 words by 8 bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 2.7 and 5.5 volts. The chip enable input ( CE

文件：254.16 Kbytes 頁數：9 Pages

DALLAS

2k x 8 3V/5V Operation Static RAM

DESCRIPTION The DS2016 2k x 8 3V/5V Operation Static RAM is a 16,384-bit, low-power, fully static random access memory organized as 2048 words by 8 bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 2.7 and 5.5 volts. The chip enable input ( CE

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DALLAS

2k x 8 3V/5V Operation Static RAM

DESCRIPTION The DS2016 2k x 8 3V/5V Operation Static RAM is a 16,384-bit, low-power, fully static random access memory organized as 2048 words by 8 bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 2.7 and 5.5 volts. The chip enable input ( CE

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DALLAS

2k x 8 3V/5V Operation Static RAM

文件：168.29 Kbytes 頁數：8 Pages

MAXIM

美信

可編程直流電源

DS2000系列開關式可編程直流電源是采用PWM技術的高頻開關式直流電源，模塊化設計，采用先進的DSP數字控制技術，具有恒壓、恒流、恒功率模式輸出，可自動交叉變換，維持控制與保護兼顧特性，確保直流電源輸出的高精度、低紋波、電壓電流動態(tài)響應速度快，且效率高達93%；與傳統(tǒng)的可控硅電源相比較，高頻開關式直流電源具有體積小，重量輕，紋波小，功率因數高、穩(wěn)定性好等優(yōu)點，特別是高電壓輸出穩(wěn)定性尤其明顯；產品主要定位于電子電力生產、蓄電池行業(yè)、PCB板制造行業(yè)及通訊、PLC供電、機電老化試驗、直流電機測試、自動測試系統(tǒng)整合、電池充電及模擬、混合動力汽車與光伏逆變器測試研究單位、實驗室對高精度直流電 ◇采用高速DSP進行PID運算,直接輸出PWM,模塊化設計，高功率密度、體積小、大大降低故障率;\n◇控制電路采用高速CPU,穩(wěn)壓精度高，紋波小;\n◇采用16bit高速ADC,快速精確測量電壓、電流值;\n◇具有恒壓、恒流、恒功率模式輸出，可自動交叉變換，維持控制與保護兼顧特性;\n◇具有過壓、過流、過溫、短路保護功能，在系統(tǒng)中，可開啟過壓(OVP),過流(OCP),并可對數值進行修改;\n◇具有9組記憶，可以將常用的參數(電壓、電流)設定，方便使用時調用，一次可執(zhí)行100組不同電壓、電流、 \n◇功率、上升時間、運行時間設定，并可連續(xù)做999999次循環(huán)測試。運行時間最短可以設定;

JETHLEY

吉事勵電子

2k x 8、工作于3V/5V的靜態(tài)RAM

DS2016 2k x 8 3V/5V供電靜態(tài)RAM是16,384位、低功耗、全靜態(tài)隨機訪問存儲器，采用CMOS技術以8位為單位分為2048個字。該器件工作在單電源下，具有2.7V至5.5V的輸入電壓。芯片使能輸入(/CE)用于選擇器件，可啟動最低待機電流模式，滿足電池供電和電池備份應用的需求。當采用5V電源供電時，該器件提供100ns快速訪問時間，而采用3V輸入時，則具有250ns的性能相對優(yōu)異的訪問時間。當輸入電壓介于2.7V至5.5V時，器件保持TTL電平輸入和輸出。DS2016是一款JEDEC標準2k x 8 SRAM，與相似容量的ROM和EPROM引腳兼容。 \n? 低功耗CMOS設計 \n? 待機電流 \n? tA = 25°C，VCC = 3.0V時，最大50nA \n? tA = 25°C，VCC = 5.5V時，最大100nA \n? tA = +60°C，VCC = 5.5V時，最大1μA \n? 電源工作范圍VCC = 5.5V至2.7V \n? 數據保持電壓為：5.5V至2.0V \n? 快速的5V訪問時間 \n? DS2016-100 100ns \n? 降速的3V訪問時間 \n? DS2016-100 250ns \n? -40°C至+85°C工作溫度范圍 \n? 全靜態(tài)工作 \n? 5.5V至2.7V電壓范圍的輸入和輸出,與TT;

ADI

亞德諾

Rectifier Diode

Dynex

丹尼克斯

Package：24-DIP（0.600"，15.24mm）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP

AD

亞德諾