1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DESCRIPTION The DS1345 1024k NV SRAMs are 1,048,576-bit, fully static, NV SRAMs organized as 131,072 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the li

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DESCRIPTION The DS1345 1024k Nonvolatile SRAMs are 1,048,576-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 131,072 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condit

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DALLAS

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DESCRIPTION The DS1345 1024k Nonvolatile SRAMs are 1,048,576-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 131,072 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condit

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1024k非易失SRAM，帶有電池監(jiān)測(cè)器

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫(xiě)保護(hù)將無(wú)條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。此外，DS1345器件具有監(jiān)視VCC狀態(tài)和內(nèi)部鋰電池狀態(tài)的專(zhuān)用電路。PowerCap模塊封裝的DS1345器件可以直接表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構(gòu)成一個(gè)完整的非易失SRAM模塊?？捎脕?lái)替代128k x 8 SRAM、EEPROM或閃存器件。 ·在沒(méi)有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年\n·掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù)\n·當(dāng)VCC電壓跌落時(shí)，電源監(jiān)視器能夠復(fù)位處理器、并在VCC上升期間持續(xù)保持處理器的復(fù)位狀態(tài)\n·電池監(jiān)視器核查剩余電量\n·100ns的讀寫(xiě)存取時(shí)間 \n·沒(méi)有寫(xiě)次數(shù)限制\n·典型待機(jī)電流50μA\n·可升級(jí)128k x 8 SRAM、EEPROM或閃存\n·第一次上電前，鋰電池與電路斷開(kāi)、維持保鮮狀態(tài)\n·±10% VCC工作范圍(DS1345Y)或±5% VCC工作范圍(DS1345AB)\n·可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(jí)溫度范圍，指定為IND\n·PowerCap模塊(PCM)封裝\n·表;

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Package：34-PowerCap? 模塊；包裝：管件 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP

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