4096k非易失SRAM

DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無(wú)條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。DIP封裝的DS1250器件可以直接用來(lái)替代現(xiàn)有的512k x 8靜態(tài)RAM，符合通用的單字節(jié)寬、32引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)。 PowerCap模塊封裝的DS1250器件為表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構(gòu)成一個(gè)完整的非易失SRAM模塊。該器件沒(méi)有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支 ? 無(wú)外部電源時(shí)最少可以保存數(shù)據(jù)10年\n? 掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù) \n? 替代512k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM及閃存\n? 沒(méi)有寫次數(shù)限制\n? 低功耗CMOS操作 \n? 70ns的讀寫存取時(shí)間 \n? 第一次上電前，鋰電池與電路斷開(kāi)、維持保鮮狀態(tài)\n? ±10% VCC工作范圍(DS1250Y) \n? 可選擇的±5% VCC工作范圍(DS1250AB)\n? 可選的工業(yè)級(jí)溫度范圍：-40°C至+85°C，指定為IND\n? JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的32引腳DIP封裝 \n? PowerCap模塊(PCM)封裝\n? 表面貼裝模塊 \n? 可更換的即時(shí)安裝Power;

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亞德諾

Package：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

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Package：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

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Package：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

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