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首頁 >絲印反查>D-PAK

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
AOD609	文件：1.30269 Mbytes Page：13 Pages	絲?。?strong>D-PAK；Package：TO-252-4L；N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg and UIS Tested APPLICATIONS ? CCFL Inverter 文件：1.30269 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
FTA1385D	文件：270.26 Kbytes Page：3 Pages	絲印：D-PAK；Package：TO-252；EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Large Current Capacity ● High hFE and Low Collector Saturation Voltage 文件：270.26 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	FS	FS
FTD2118	文件：330.64 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?strong>D-PAK；Package：TO-252；TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low VCE(sat). ● Excellent DC Current Gain Characteristics. 文件：330.64 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	FS	FS
FTD882D	文件：376.63 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?strong>D-PAK；Package：TO-252；TRANSISTOR TRANSISTOR FEATURES Low Speed Switching 文件：376.63 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	FS	FS
MJD122	文件：457.2 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?strong>D-PAK；Package：TO-252；NPN Silicon Darlington Transistor FEATURES ? High DC Current Gain ? Electrically Similar to Popular TIP122 ? Built-in a Damper Diode at E-C We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：457.2 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	FS	FS
MJD127	文件：360.31 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?strong>D-PAK；Package：TO-252；PNP Silicon Darlington Transistor FEATURES ? High DC Current Gain ? Electrically Similar to Popular TIP127 ? Built-in a Damper Diode at E-C We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：360.31 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	FS	FS
MJD31C	文件：236.94 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?strong>D-PAK；Package：TO-252；TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Designed for General Purpose Amplifier and Low Speed Switching Applications. ● Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) ● Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) ● Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix) ● Electri 文件：236.94 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	FS	FS
MJD32C	文件：1.20505 Mbytes Page：2 Pages	絲?。?strong>D-PAK；Package：TO-252；TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Designed for General Purpose Amplifier and Low Speed Switching Applications ● Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) ● Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) ● Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix) ● Electrically 文件：1.20505 Mbytes 頁數(shù)：2 Pages	FS	FS
MJE13003D	文件：339 Kbytes Page：2 Pages	絲?。?strong>D-PAK；Package：TO-252；SWITCHING REGULATOR APPLICATION. SWITCHING REGULATOR APPLICATION. HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. FEATURES ? Excellent Switching Times : ton=1.1μS(Max.), tf=0.5μS(Max.), at IC=1.0A ? High Collector Voltage : VCBO=700V. 文件：339 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	FS	FS
MJE13005D	文件：479.63 Kbytes Page：2 Pages	絲印：D-PAK；Package：TO-252；TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) SWITCHING REGULATOR APPLICATION. HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION. HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION. FLUORESCENT LIGHT BALLASTOR APPLICATION. FEATURES High Collector Voltage : V CBO =700V. 文件：479.63 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	FS	FS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
D-PAK
功能描述：
MOSFET COMPL 40V 12A TO252
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列：
-
產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個(gè) N 溝道（雙） FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多D-PAK供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 10:02:00

詳細(xì)參數(shù)

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