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CPD80 | Switch Diode High Voltage Switching Diode Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 16 x 16 MILS Die Thickness 9.0 MILS Anode Bonding Pad Area 6.5 x 6.5 MILS Top Side Metalization Al - 30,000? Back Side Metalization Au - 18,000? 文件：226.79 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | CENTRAL | CENTRAL | |
Switching Diode High Voltage Switching Diode Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 16 x 16 MILS Die Thickness 7.1 MILS Anode Bonding Pad Area 6.5 x 6.5 MILS Top Side Metalization Al - 30,000? Back Side Metalization Au-As - 13,000? 文件：231.62 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
Switching Diode High Voltage Switching Diode Chip 文件：400.98 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
CPD80 | Switch Diode High Voltage Switching Diode Chip | Central | Central | |
Super Junction MOSFET 超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場轉(zhuǎn)換到體內(nèi)場，相對于傳統(tǒng)VDMOS器件Rdson*A-BV關(guān)系從2.5次方變?yōu)?.32次方。\r\n\r\nCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon C6系列，有效提升開關(guān)電源的效率及功率密度。 | CoolSemi 功成半導(dǎo)體 | CoolSemi | ||
SJ | CoolSemi 功成半導(dǎo)體 | CoolSemi |
技術(shù)參數(shù)
- RDS(on)(mΩ)@10V Typ.：
1000
- RDS(on)(mΩ)@10V Max.：
1400
- Vth(V)：
3.5
- Package：
TO-252
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CENTRAL |
25+ |
模具 |
7 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
詢價 | ||
Central Semiconductor Corp |
25+ |
模具 |
9350 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
Central |
25+ |
電聯(lián)咨詢 |
7800 |
公司現(xiàn)貨,提供拆樣技術(shù)支持 |
詢價 | ||
Central |
22+ |
NA |
65 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息, |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
NEC |
23+ |
QFP |
1050 |
正品原裝貨價格低 |
詢價 | ||
COMCHIP/典琦科技 |
24+ |
DFN10 |
98000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
Comchip |
24+ |
DFN10P |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Comchip |
20+ |
DFN10P |
36800 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
COMCHIP/典琦科技 |
24+ |
DFN10P |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單! |
詢價 |
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