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CPD80V	文件：231.62 Kbytes Page：2 Pages	Switching Diode High Voltage Switching Diode Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 16 x 16 MILS Die Thickness 7.1 MILS Anode Bonding Pad Area 6.5 x 6.5 MILS Top Side Metalization Al - 30,000? Back Side Metalization Au-As - 13,000? 文件：231.62 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
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更多CPD80V供應商更新時間2021-9-14 10:50:00