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CMS80N06-HF	文件：511.49 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET Features - Super low gate charge. - Advanced high cell density trench technology. - Excellent Cdv/dt effect decline. - Green device available. 文件：511.49 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
CMS80N06-HF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Comchip 典琦	Comchip
FDP80N06	文件：453.42 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 文件：453.42 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
FDP80N06	文件：332.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 33A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.09mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：332.92 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
HM80N06K	文件：570.21 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：570.21 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	HMSEMI 華之美半導體	HMSEMI

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更多CMS80N06-HF供應商更新時間2026-1-22 11:09:00