isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 33A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.09mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

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ISC

無(wú)錫固電

N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM，60 V，80 A，10 m?，TO-220

UniFETTMMOSFET 是飛兆半導(dǎo)體的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，基于平面條形技術(shù)和 DMOS 技術(shù)。該 MOSFET 產(chǎn)品專(zhuān)用于降低通態(tài)電阻，并提供更好的開(kāi)關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。該器件系列適用于開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正(PFC)、平板顯示器(FPD)電視電源、ATX 及燈用電子鎮(zhèn)流器。 ?RDS(on) = 10 m? （最大值），需 VGS = 10 V、ID = 40 A柵極電荷低（典型值：57nC)\n?低 Crss（典型值145pF)\n?100% 經(jīng)過(guò)雪崩擊穿測(cè)試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n? Improved dv/dt Capability\n? RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HMSEMI

華之美半導(dǎo)體

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HMSEMI

華之美半導(dǎo)體

Superior Avalanche Rugged Technology

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SEMIHOW