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CMPA2735075F	文件：2.13087 Mbytes Page：10 Pages	75 W, 2.7 - 3.5 GHz, GaN MMIC, Power Amplifier 文件：2.13087 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	CREE 科銳	CREE
CMPA2735075F1	文件：1.90341 Mbytes Page：10 Pages	75 W, 2.7 - 3.5 GHz, GaN MMIC, Power Amplifier Description Wolfspeed’s CMPA2735075F1 is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) based monolithic microwave integrated circuit (MMIC). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron dr 文件：1.90341 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
CMPA2735075F-AMP	文件：2.13087 Mbytes Page：10 Pages	75 W, 2.7 - 3.5 GHz, GaN MMIC, Power Amplifier 文件：2.13087 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	CREE 科銳	CREE
CMPA2735075F-TB	文件：2.13087 Mbytes Page：10 Pages	75 W, 2.7 - 3.5 GHz, GaN MMIC, Power Amplifier 文件：2.13087 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	CREE 科銳	CREE
CMPA2735075F	文件：300 bytes Page：1 Pages	75-W, 2.7 – 3.5-GHz, GaN MMIC Power Amplifier Wolfspeed’s CMPA2735075F is a gallium-nitride (GaN) HEMT-based monolithic microwave integrated circuit (MMIC). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher thermal conductivity. GaN HEMTs	MACOM	MACOM
CMPA2735075F1	文件：300 bytes Page：1 Pages	75 W, 2.7 - 3.5 GHz, GaN MMIC Power Amplifier The CMPA2735075 is a gallium-nitride (GaN) HEMT-based monolithic microwave integrated circuit (MMIC). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher thermal conductivity. GaN HEMTs also offe ·80 W Typical PSAT\n·28 V Operation\n·27 dB Small Signal Gain\n·High Breakdown Voltage\n·High Temperature Operation;	MACOM	MACOM
CMPA2735075F1-AMP	文件：300 bytes Page：1 Pages	75 W, 2.7 - 3.5 GHz, GaN MMIC Power Amplifier The CMPA2735075 is a gallium-nitride (GaN) HEMT-based monolithic microwave integrated circuit (MMIC). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher thermal conductivity. GaN HEMTs also offe ·80 W Typical PSAT\n·28 V Operation\n·27 dB Small Signal Gain\n·High Breakdown Voltage\n·High Temperature Operation\n;	MACOM	MACOM
CMPA2735075F1-AMP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：盒類別：開發(fā)板，套件，編程器射頻評(píng)估和開發(fā)套件，開發(fā)板描述：AMPLIFIER, 2.7-3.5GHZ, GAN MMIC	WOLFSPEED	WOLFSPEED

技術(shù)參數(shù)

Application：
L-Band / S-Band / X-Band / C-Band / Ku-Band
Typical Power (PSAT)：
80 W
Operating Voltage：
28 V
Breakdown Voltage：
High
Frequency：
2.7 - 3.5 GHz
Package Type：
Flange
Small Signal Gain：
27 dB
Size：
0.5 x 0.5 in

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市正邁科技有限公司	CMPA2735075F	CREE全系列可接受訂貨	23+	NA	1100	CREE進(jìn)口代理原裝優(yōu)勢(shì)供應(yīng)全系列可訂貨QQ1304306553	詢價(jià)
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千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	CMPA2735075F	QORVO	24+	SMD	5000	QORVO“芯達(dá)集團(tuán)”專營(yíng)品牌原裝正品假一罰十	詢價(jià)
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深圳市東來寶電子科技有限公司	CMPA5259025F-AMP	Wolfspeed	25+	Tube	4430	鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)

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