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CGHV96050F2-AMP	文件：300 bytes Page：1 Pages	50-W, 7.9 – 9.6-GHz, 50-ohm, Input/Output-Matched GaN HEMT 8.4 – 9.6 GHz Operation80 W POUT typical10 dB Power Gain55 % Typical PAE50 Ohm Internally Matched<0.1 dB Power Droop ? 8.4 – 9.6 GHz Operation\n? 80 W POUT typical\n? 10 dB Power Gain\n? 55 % Typical PAE\n? 50 Ohm Internally Matched\n? <0.1 dB Power Droop;	MACOM	MACOM
CGHV96050F2	文件：1.62378 Mbytes Page：13 Pages	50 W, 7.9 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/Output Matched GaN HEMT Description Wolfspeed’s CGHV96050F2 is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on Silicon Carbide (SiC) substrates. This GaN Internally Matched (IM) FET offers excellent power added efficiency in comparison to other technologies. GaN has superior properties compared to 文件：1.62378 Mbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
CGHV96050F2	文件：1.14818 Mbytes Page：13 Pages	50 W, 7.9 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/Output Matched GaN HEMT 文件：1.14818 Mbytes 頁(yè)數(shù)：13 Pages	CREE 科銳	CREE
CGHV96100F2	文件：0 bytes Page：0 Pages	NA	MACOM 上傳：深圳市達(dá)恩科技有限公司	MACOM
CGRM4007-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOD123	COMCHIP 典琦上傳：深圳市粵科源興科技有限公司	COMCHIP

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千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	CGHV96050F2-TB	Wolfspeed	24+	SMD	8000	射頻開(kāi)發(fā)工具	詢價(jià)
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