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CGHV96100F2	文件：1.72389 Mbytes Page：13 Pages	100 W, 8.4 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/Output Matched GaN HEMT Description Wolfspeed’s CGHV96100F2 is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on Silicon Carbide (SiC) substrates. This GaN Internally Matched (IM) FET offers excellent power added efficiency in comparison to other technologies. GaN has superior properties compared to 文件：1.72389 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
CGHV96100F2	文件：1.13194 Mbytes Page：13 Pages	100 W, 7.9 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input 文件：1.13194 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages	CREE 科銳	CREE
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CGHV96100F2-TB	文件：1.13194 Mbytes Page：13 Pages	100 W, 7.9 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input 文件：1.13194 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages	CREE 科銳	CREE

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更多CGHV96100F2供應(yīng)商更新時間2026-1-20 14:16:00