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首頁(yè) >CGHV40050>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CGHV40050	文件：2.065409 Mbytes Page：11 Pages	50 W, DC - 4.0 GHz, 50 V, GaN HEMT Description Wolfspeed’s CGHV40050 is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGHV40050, operating from a 50 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications up to 4 GHz. The reference HPA design in t 文件：2.065409 Mbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
CGHV40050	文件：3.03866 Mbytes Page：11 Pages	50 W, DC - 4.0 GHz, 50 V, GaN HEMT 文件：3.03866 Mbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	CREE 科銳	CREE
CGHV40050	文件：300 bytes Page：1 Pages	50 W; DC - 4.0 GHz; 50 V; GaN HEMT The CGHV40050 is an unmatched; gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT). The CGHV40050; operating from a 50-volt rail; offers a general-purpose; broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high-efficiency; high-gain and wide-bandwidth capab ·Up to 4 GHz Operation\n·77 W Typical Output Power\n·17.5 dB Small Signal Gain at 1.8 GHz\n·CGHV40050\n·53 % Efficiency at PSAT\n·50 V Operation;	MACOM	MACOM
CGHV40050-AMP	文件：866.6 Kbytes Page：11 Pages	50 W, DC - 4.0 GHz, 50 V, GaN HEMT 文件：866.6 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	CREE 科銳	CREE
CGHV40050F	文件：866.6 Kbytes Page：11 Pages	50 W, DC - 4.0 GHz, 50 V, GaN HEMT 文件：866.6 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	CREE 科銳	CREE
CGHV40050P	文件：866.6 Kbytes Page：11 Pages	50 W, DC - 4.0 GHz, 50 V, GaN HEMT 文件：866.6 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	CREE 科銳	CREE
CGHV40050-TB	文件：866.6 Kbytes Page：11 Pages	50 W, DC - 4.0 GHz, 50 V, GaN HEMT 文件：866.6 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	CREE 科銳	CREE
CGHV40050F-AMP	文件：300 bytes Page：1 Pages	50-W; DC – 4.0-GHz; 50-V; GaN HEMT Up to 4 GHz Operation 77 W Typical Output Power 17.5 dB Small Signal Gain at 1.8 GHz Application Circuit for 0.8 – 2.0 GHz 53 % Efficiency at PSAT 50 V Operation ? Up to 4 GHz Operation\n?77 W Typical Output Power\n?17.5 dB Small Signal Gain at 1.8 GHz\n?Application Circuit for 0.8 – 2.0 GHz\n?53 % Efficiency at PSAT\n?50 V Operation;	MACOM	MACOM
CGHV40050P	文件：300 bytes Page：1 Pages	50-W; DC – 4.0-GHz; 50-V; GaN HEMT Up to 4 GHz Operation 77 W Typical Output Power 17.5 dB Small Signal Gain at 1.8 GHz Application Circuit for 0.8 – 2.0 GHz 53 % Efficiency at PSAT 50 V Operation ? Up to 4 GHz Operation\n?77 W Typical Output Power\n?17.5 dB Small Signal Gain at 1.8 GHz\n?Application Circuit for 0.8 – 2.0 GHz\n?53 % Efficiency at PSAT\n?50 V Operation;	MACOM	MACOM
CGHV40050F-AMP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝類別：開(kāi)發(fā)板，套件，編程器射頻評(píng)估和開(kāi)發(fā)套件，開(kāi)發(fā)板描述：CGHV40050F DEV BOARD WITH HEMT	WOLFSPEED	WOLFSPEED

技術(shù)參數(shù)

Min Frequency(MHz)：
0
Max Frequency(MHz)：
4000
Peak Output Power(W)：
50
Gain(dB)：
16.0
Efficiency(%)：
53
Operating Voltage(V)：
50
Form：
Packaged Discrete Transistor
Package Category：
Flange
Technology：
GaN-on-SiC

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多CGHV40050供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 8:44:00

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