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CGH60008D-GP4	文件：300 bytes Page：1 Pages	8 W; 6.0 GHz; GaN HEMT Die The CGH60008D is a gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide; including higher breakdown voltage; higher saturated electron drift velocity; and higher thermal conductivity. GaN HEMTs offer greater power density ·8 W Typical PSAT @ 28 V Operation\n·5 W Typical PSAT @ 20 V Operation\n·High Breakdown Voltage\n·High Temperature Operation\n·Up to 6 GHz Operation\n·High Efficiency;	MACOM	MACOM
CGH60008D-GP4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模具；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻描述：RF MOSFET HEMT 28V DIE	WOLFSPEED	WOLFSPEED
CGHV37400F	文件：0 bytes Page：0 Pages	模塊	CREE 科銳上傳：深圳市歐特拉科技有限公司	CREE
CGHV96050F2	文件：0 bytes Page：0 Pages	NA	MACOM 上傳：深圳市達恩科技有限公司	MACOM
CGHV96100F2	文件：0 bytes Page：0 Pages	NA	MACOM 上傳：深圳市達恩科技有限公司	MACOM

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更多CGH60008D-GP4供應(yīng)商更新時間2021-9-14 10:50:00