| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：991.61 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | VBSEMI 微碧半導(dǎo)體 | VBSEMI | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.01405 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：685.02 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | CET 華瑞 | CET | ||
N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：1.7768 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | ||
N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：2.01452 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | ||
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：42.08 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | CET 華瑞 | CET | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：398.48 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | CET 華瑞 | CET | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.89636 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.50717 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | ||
N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：899.28 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | VBSEMI 微碧半導(dǎo)體 | VBSEMI |
技術(shù)參數(shù)
- BVDSS(V)：
650
- Rds(on)mΩ@10V：
10500
- ID(A)：
1.2
- Qg(nC)@10V(typ)：
5.8
- RθJC(℃/W)：
3.5
- Pd(W)：
35.7
- Configuration：
Single
- Polarity：
N
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CET |
23+ |
TO252 |
7000 |
絕對全新原裝!100%保質(zhì)量特價!請放心訂購! |
詢價 | ||
CET |
25+ |
SMD2 |
2218 |
⊙⊙新加坡大量現(xiàn)貨庫存,深圳常備現(xiàn)貨!歡迎查詢!⊙ |
詢價 | ||
CET |
25+ |
TO252 |
103 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 | ||
CET |
13+ |
5171 |
原裝分銷 |
詢價 | |||
CET |
25+ |
DIP-14 |
18000 |
原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝 |
詢價 | ||
CET |
17+ |
TO252 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
CET |
00+ |
SMD2 |
890 |
全新原裝100真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | ||
CET |
12+ |
TO-252(DPAK) |
15000 |
全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。 |
詢價 | ||
SR |
23+ |
TO252 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
CET |
2016+ |
TO252 |
2500 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 |
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