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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CEP65A3	文件：101.64 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 25V, 45A,RDS(ON) = 12m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 18m? @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：101.64 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CHM65A3PAPT	文件：486.95 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 25 Volts CURRENT 38 Ampere FEATURE * Small package. (TO-252A) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). * High power and current handing capability. APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. 文件：486.95 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	CHENMKO 力勤	CHENMKO
FGA65A3H	文件：394.66 Kbytes Page：12 Pages	VCE = 650 V, IC = 15 A Trench Field Stop IGBT 文件：394.66 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	SANKEN 三墾	SANKEN
FGF65A3H	文件：768.65 Kbytes Page：15 Pages	Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode 文件：768.65 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	SANKEN 三墾	SANKEN

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更多CEP65A3供應(yīng)商更新時間2026-1-18 15:35:00