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CEPF640	文件：507.74 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole. 文件：507.74 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET
CEPF640	文件：627.43 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole. Lead free product is acquired. 文件：627.43 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEPF640	文件：1.94346 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.94346 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CEPF640	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 華瑞	CET
CEPF640_08	文件：402.54 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：402.54 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET

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更多CEPF640供應(yīng)商更新時間2026-1-18 14:14:00