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首頁 >CEP5>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CEP51A3	文件：103.92 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 30V, 48A, RDS(ON) =16.5m? @VGS = 10V. RDS(ON) =28m? @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：103.92 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEP540A	文件：101.68 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 100V, 36A, RDS(ON) = 48m? @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：101.68 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEP540L	文件：633.43 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 36A, RDS(ON) = 50mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead free product is acquired. RDS(ON) = 53mW @VGS = 5V. 文件：633.43 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP540N	文件：585.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 36A, RDS(ON) = 53mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead free product is acquired. 文件：585.01 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP540N	文件：412.7 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 100V, 36A, RDS(ON) = 53mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：412.7 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEP550	文件：643.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 33A, RDS(ON) = 40mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. 文件：643.01 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP550A	文件：766.08 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 36A, RDS(ON) = 53mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. 文件：766.08 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP50N06	文件：1.14917 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.14917 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CEP540L	文件：687.08 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：687.08 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEP5710	文件：24.21 Kbytes Page：1 Pages	ISDN S-Bus Common Mode Inductor 文件：24.21 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	FILTRAN 費(fèi)爾蘭特	FILTRAN

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CEP5
制造商：
CET
制造商全稱：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	CEP51A3	CET/華瑞	25+	TO-220	20300	CET/華瑞原裝特價(jià)CEP51A3即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	CEP51A3	CET	23+	TO220/3	7000	絕對全新原裝!100%保質(zhì)量特價(jià)!請放心訂購!	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	CEP51A3	CET	24+	TO2203	224		詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	CEP51A3	SR	23+	TO-220	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	CEP51A3	CET/華瑞	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CEP51A3	C	22+	TO-220	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	CEP51A3	CET華瑞	20+	TO-220	20	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市賽美科科技有限公司	CEP51A3	CET		TO-220	50000	一級(jí)代理原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨	詢價(jià)
上海磐岳電子有限公司	CEP51A3	CET	2023+	TO220	5800	進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨熱賣	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	CEP51A3	VBsemi	23+	TO-220	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)

更多CEP5供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 9:05:00

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