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首頁(yè) >CEP1>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CEP1195	文件：437.74 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：437.74 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEP1195	文件：583.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：583.01 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP11N65S	文件：532.19 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：532.19 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP125N15	文件：424.12 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：424.12 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP12N5	文件：648.58 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：648.58 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP12N6	文件：708.65 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：708.65 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP12N6	文件：417.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：417.01 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEP12N65	文件：392.28 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：392.28 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEP12N65A	文件：525.04 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：525.04 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP12N65LN	文件：519.87 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：519.87 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS

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技術(shù)參數(shù)

BVDSS(V)：
100
Rds(on)mΩ@10V：
8.2
Rds(on)mΩ@4.5V：
10.5
ID(A)：
92
Qg(nC)@4.5V(typ)：
23
RθJC(℃/W)：
1.2
Pd(W)：
125
Configuration：
Single
Polarity：
N

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	CEP12P10	TO-220	1215+	TO-220	150000	全新原裝,絕對(duì)正品,公司大量現(xiàn)貨供應(yīng).	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	CEP12P10	CET	23+	TO220/3	5500	現(xiàn)貨,全新原裝	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	CEP125NP-1R8MC-H	SUMIDA	2016+	SMD	10500	只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	CEP16N10L	CET	23+	TO-220	15000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司	CEP125-1R0MC-H	SUMIDA	24+		6980	原裝現(xiàn)貨,可開(kāi)13%稅票	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	CEP12D38NP-1R1MC-H		24+		1000		詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	CEP16N10L	CET	24+	TO-220	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
上海金慶電子技術(shù)有限公司	CEP125NP-100MC	SUMIDA	新		10	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	CEP125NP-1R8MC-H	SUMIDA	23+	SMD	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)!	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	CEP125-1R5MC-D	SUMIDA	23+	NA	111	專(zhuān)做原裝正品,假一罰百!	詢價(jià)

更多CEP1供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 9:03:00

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