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CEF01N6	文件：85.87 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：85.87 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEF01N65	文件：429.92 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP01N65 650V 10.5Ω 1.3A 10V CEF01N65 650V 10.5Ω 1.3A 10V CEB01N65 650V 10.5Ω 1.3A 10V ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ 文件：429.92 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEF01N6G	文件：374.19 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：374.19 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEF01N65	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CET 華瑞	CET
CEF01N6G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CET 華瑞	CET

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深圳市一線半導體有限公司	CEF02N6	CET	24+	TO2203	1855		詢價
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司	CEF02N6	CET	804+	TO-220F	865	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
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深圳市旺財半導體有限公司	CEF02N6	CET	23+	TO-220F	2800	正品原裝貨價格低	詢價

更多CEF01N6供應(yīng)商更新時間2026-1-19 14:17:00