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CEF02N6	文件：45.44 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ???????■ TO-220 & TO-263 & TO-262 package & TO-220F full-pak for through hole. 文件：45.44 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET
CEF02N6	文件：132.65 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：132.65 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEF02N6	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	CET 華瑞	CET
CEF02N65A	文件：539.32 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：539.32 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEF02N65D	文件：350.41 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：350.41 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEF02N65G	文件：599.68 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：599.68 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEF02N6A	文件：592.86 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：592.86 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEF02N6A	文件：125.19 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 & TO-262 package & TO-220F full-pak for through hole. Lead free product is acquired. 文件：125.19 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEF02N6G	文件：398.08 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：398.08 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEF02N6G	文件：599.54 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：599.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS

技術(shù)參數(shù)

BVDSS(V)：
650
Rds(on)mΩ@10V：
10500
ID(A)：
1.3
Qg(nC)@10V(typ)：
6.9
RθJC(℃/W)：
4.5
Pd(W)：
27
Configuration：
Single
Polarity：
N

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	CEF02N6	CET	23+	TO220/3	7000	絕對(duì)全新原裝!100%保質(zhì)量特價(jià)!請(qǐng)放心訂購(gòu)!	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	CEF02N6	CET	24+	TO2203	1855		詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	CEF02N6	CET	24+	TO-220F	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	CEF02N6	CET/華瑞	23+	TO-220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	CEF02N6	CET	804+	TO-220F	865	一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市賽美科科技有限公司	CEF02N6	CET		TO-220F	50000	一級(jí)代理原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	CEF02N6	CET	23+	TO-220F	2800	正品原裝貨價(jià)格低	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	CEF02N6	CET	23+	原廠正規(guī)渠道	5000	專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
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