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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CEF02N6G	文件：599.54 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：599.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEF02N6G	文件：398.08 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：398.08 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEF02N7	文件：134.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 & TO-262 package & TO-220F full-pak for through hole. Lead free product is acquired. 文件：134.8 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEF02N7G	文件：403.86 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：403.86 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEF02N7G	文件：625.85 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：625.85 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEF02N9	文件：623.18 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：623.18 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEF03N100	文件：518.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Pb-free lead plating ; RoHS compliant. Halogen Free. 文件：518.78 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEF03N8	文件：444.05 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：444.05 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEF04N100	文件：497.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：497.84 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEF04N6	文件：626.36 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：626.36 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS

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技術(shù)參數(shù)

BVDSS(V)：
650
Rds(on)mΩ@10V：
10500
ID(A)：
1.3
Qg(nC)@10V(typ)：
6.9
RθJC(℃/W)：
4.5
Pd(W)：
27
Configuration：
Single
Polarity：
N

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	CEF06N8	CET	23+	TOP/3A	7000	絕對(duì)全新原裝!100%保質(zhì)量特價(jià)!請(qǐng)放心訂購(gòu)!	詢價(jià)
諦輝(北京/上海/青島 )電子科技有限公司	CEFF634	CET	25+	DIP-14	18000	原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	CEF9142-2	PH	23+	SOP-28	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	CEFGCJ83.333	TAITIE	25+	N/A	636	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市福田區(qū)綠盛電子商行	CEFF630	CET	2015+	SOP/DIP	19889	一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	CEF07N65	CET	17+	TO-220F	6200		詢價(jià)
深圳市利加科技有限公司	CEFGCJ10.000	TAITIEN	16+	NA	8800	原裝現(xiàn)貨,貨真價(jià)優(yōu)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	CEF80N75	CET	24+		5000		詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	CEFF640	CET	24+	TO-220F	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	CEF9039-2	PHI	25+	SOP28W	3629	原裝優(yōu)勢(shì)!房間現(xiàn)貨!歡迎來(lái)電!	詢價(jià)

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