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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CEB4060A	文件：507.03 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 60V, 17A, RDS(ON) = 85m? @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package. ■ Lead free product is acquired. 文件：507.03 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET
CEB4060A	文件：624.05 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 17A, RDS(ON) = 85mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead free product is acquired. 文件：624.05 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEB4060A	文件：405.41 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：405.41 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEB4060AL	文件：631.1 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 17A,RDS(ON) = 75mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 90mW @VGS = 5.0V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead free product is acquired. 文件：631.1 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEB4060AL	文件：508.15 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 60V, 17A, RDS(ON) = 75m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 90m? @VGS = 5.0V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package. ■ Lead free product is acquired. 文件：508.15 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET
CEB4060AR	文件：524.79 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ? 60 V, 15 A, RDS(ON) = 85mΩ @VGS = 10 V. ? Super high dense cell design for extremely low RDS(ON) ? High power and current handling capability. ? TO-220 & TO-263 package. 文件：524.79 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET
CEB4060AL	文件：406.85 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：406.85 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEB4060AL	文件：87.08 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：87.08 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEB4060A	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 華瑞	CET
CEB4060AR	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES\n? 60 V, 15 A, RDS(ON) = 85mΩ @VGS = 10 V.\n? Super high dense cell design for extremely low RDS(ON)\n? High power and current handling capability.\n? TO-220 & TO-263 package. ? 60 V, 15 A, RDS(ON) = 85mΩ @VGS = 10 V.\n? Super high dense cell design for extremely low RDS(ON)\n? High power and current handling capability.\n? TO-220 & TO-263 package.;	CET 華瑞	CET

技術(shù)參數(shù)

BVDSS(V)：
60
Rds(on)mΩ@10V：
85
ID(A)：
17
Qg(nC)@10V(typ)：
8.1
RθJC(℃/W)：
3.2
Pd(W)：
47
Configuration：
Single
Polarity：
N

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	CEB4060A	CET	23+	TO263	7000	絕對(duì)全新原裝!100%保質(zhì)量特價(jià)!請(qǐng)放心訂購!	詢價(jià)
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司	CEB4060A	CET/華瑞	01+	TO-263	7500	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)

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