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首頁 >BUZ80A>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BUZ80A	文件：88.22 Kbytes Page：3 Pages	Drain source voltage FAST POWER MOS TRANSISTOR 文件：88.22 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
BUZ80A	文件：176.56 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode) SIPMOS ? Power Transistor ? N channel ? Enhancement mode 文件：176.56 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BUZ80A	文件：196.66 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor ● Typical RDS(on)=2.5 ? ● AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ● 100 AVALANCHE TESTED ● REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100℃ ● LOW INPUT CAPACITANCE ● LOW GATE CHARGE ● APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION APPLICATIONS ● HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCH 文件：196.66 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ARTSCHIP	ARTSCHIP
BUZ80A	文件：333.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 3.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.0Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, 文件：333.58 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
BUZ80A	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes 頁數(shù)：31 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BUZ80AFI	文件：324.27 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 2.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.0Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, 文件：324.27 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
BUZ80AFI	文件：196.66 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor ● Typical RDS(on)=2.5 ? ● AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ● 100 AVALANCHE TESTED ● REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100℃ ● LOW INPUT CAPACITANCE ● LOW GATE CHARGE ● APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION APPLICATIONS ● HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCH 文件：196.66 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ARTSCHIP	ARTSCHIP
BUZ80A	文件：300 bytes Page：1 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)	Infineon 英飛凌	Infineon

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BUZ80A
功能描述：
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
SIPMOS®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	BUZ80A	INFINEON	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BUZ80A	INFINEON	24+	P-TO220-3-1	8866		詢價(jià)
深圳市豪邁興電子有限公司	BUZ80A	inf	24+		21322	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫存!	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	BUZ80A	ST	24+	原廠封裝	4000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市利加科技有限公司	BUZ80A	XI.M.Z	16+	TO-220	10000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	BUZ80A	INFINE0N	23+	TO-220-3	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	BUZ80A	ST	25+23+	TO-220	30163	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	BUZ80A	INFINEO	專業(yè)鐵帽	TO220	20	原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨	詢價(jià)
深圳市賽爾通科技有限公司	BUZ80A		23+	TO-220	1		詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	BUZ80A	INFINEON	20+	TO-220	38900	原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)

更多BUZ80A供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 14:16:00

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