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BSTR60120	文件：89.53 Kbytes Page：1 Pages	Fast thyristors 文件：89.53 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
CGH60120D	文件：1.05102 Mbytes Page：8 Pages	120 W, 6.0 GHz, GaN HEMT Die Description Wolfspeed’s CGH60120D is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. GaN HEMTs o 文件：1.05102 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
CGH60120D	文件：592.12 Kbytes Page：7 Pages	120 W, 6.0 GHz, GaN HEMT Die Cree’s CGH60120D is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. GaN HEMTs offer greater power de 文件：592.12 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	CREE 科銳	CREE
DUR60120W	文件：592.04 Kbytes Page：3 Pages	Low forward voltage drop 文件：592.04 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	LITTELFUSE 力特	LITTELFUSE

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