N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DIODES

美臺半導(dǎo)體

SIPMOS Small-Signal-Transistor

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INFINEON

英飛凌

50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected

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PANJIT

強茂

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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美臺半導(dǎo)體

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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SIPMOS Small-Signal-Transistor

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INFINEON

英飛凌

Nch 60V 310mA, SOT-323, 小信號MOSFET

BSS138W采用UMT3封裝，內(nèi)置有單極Nch 60V 310mA MOSFET和ESD保護二極管，非常適用于開關(guān)電路、低邊負(fù)載開關(guān)和繼電器驅(qū)動器等應(yīng)用。 ? Very fast switching\n? Ultra low voltage drive (2.5V drive)\n? ESD protection up to 2kV (HBM)\n? Pb-free lead plating; RoHS compliant.\n? Halogen Free.;

ROHM

羅姆

N 溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管 50V，210mA，3.5Ω

這些N溝道增強模式場效應(yīng)晶體管。 這些產(chǎn)品專為最大限度地降低通態(tài)電阻并提供耐用、可靠的快速開關(guān)性能而設(shè)計。BSS138W特別適合于小型伺服電動機控制、功率MOSFET柵極驅(qū)動器等低電壓、低電流應(yīng)用，以及其他開關(guān)應(yīng)用。 ?RDS(ON) = 3.5 ? @ VGS = 10V, ID = 0.22A\n?RDS(ON) = 6.0 ? @ VGS = 4.5V, ID = 0.22A\n?高密度單元設(shè)計可實現(xiàn)極低的 RDS(ON)。\n?堅固而可靠。\n?工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-323緊湊型表面貼裝封裝。;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Diodes

美臺半導(dǎo)體