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首頁 >BFP740>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BFP740	文件：38.66 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Germanium RF Transistor Product Brief The BFP740 is a linear very low noise wideband NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCEO = 4.0 V and currents up to IC = 45 文件：38.66 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP740	文件：1.78828 Mbytes Page：6 Pages	NPN Transistors ■ Features ● High gain ultra low noise RF transistor ● High maximum stable gain ● Gold metallization for extra high reliability ● 150 GHz fT-Silicon Germanium technology ● Outstanding noise figure F = 0.5 dB at 1.8 GHz Outstanding noise figure F = 0.85 dB at 6 GHz 文件：1.78828 Mbytes 頁數(shù)：6 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
BFP740	文件：599.41 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Germanium RF Transistor 文件：599.41 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP740	文件：1.3682 Mbytes Page：28 Pages	Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.3682 Mbytes 頁數(shù)：28 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP740	文件：300 bytes Page：1 Pages	低噪聲RF 管基 BFP740 是硅鍺碳 (SiGe:C) NPN 異質(zhì)結(jié)寬帶雙極射頻晶體管 (HBT)。 ? 低噪聲系數(shù) NFmin = 0.85 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 6 mA\n? OIP3 = 24.5 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA;	Infineon 英飛凌	Infineon
BFP740F	文件：147.89 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Germanium RF Transist NPN Silicon Germanium RF Transistor ? High gain ultra low noise RF transistor ? Provides outstanding performance for a wide range of wireless applications up to 10 GHz and more ? Ideal for CDMA and WLAN applications ? Outstanding noise figure F = 0.5 dB at 1.8 GHz Outstanding noise 文件：147.89 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP740F	文件：157.87 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Germanium RF Transistor NPN Silicon Germanium RF Transistor ? High gain ultra low noise RF transistor ? Provides outstanding performance for a wide range of wireless applications up to 10 GHz and more ? Ideal for CDMA and WLAN applications ? Outstanding noise figure F = 0.5 dB at 1.8 GHz Outstanding noise 文件：157.87 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP740FE6327	文件：147.89 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Germanium RF Transist NPN Silicon Germanium RF Transistor ? High gain ultra low noise RF transistor ? Provides outstanding performance for a wide range of wireless applications up to 10 GHz and more ? Ideal for CDMA and WLAN applications ? Outstanding noise figure F = 0.5 dB at 1.8 GHz Outstanding noise 文件：147.89 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP740FESD	文件：1.93887 Mbytes Page：29 Pages	Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor Product Brief The BFP740FESD is a very low noise wideband NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCEO = 4.2 V and currents up to IC = 45 mA. 文件：1.93887 Mbytes 頁數(shù)：29 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFP740_09	文件：599.41 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Germanium RF Transistor 文件：599.41 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

技術(shù)參數(shù)

Gmax：
27 dB @900 MHz
ICmax：
45 mA
NFmin：
0.45 dB @900 MHz
OIP3：
25 dBm
OP1dB：
11 dBm
Ptot：
160 mW
VCEOmax：
4 V
Package：
SOT343

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BFP740	Infineon(英飛凌)	24+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	9048	原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開票。	詢價(jià)
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深圳市得捷芯城科技有限公司	BFP740	Infineon(英飛凌)	25+	N/A	18798	原裝正品現(xiàn)貨,原廠訂貨,可支持含稅原型號(hào)開票。	詢價(jià)
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深圳誠(chéng)思涵科技有限公司	BFP740	INFINEON	16+	SOT-343	10000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)!	詢價(jià)

更多BFP740供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 10:50:00

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