Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor

Product Brief The BFP740FESD is a very low noise wideband NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCEO = 4.2 V and currents up to IC = 45 mA.

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Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

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低噪聲RF 管基

BFP740FESD 是一款硅鍺碳 (SiGe:C) NPN 異質(zhì)結(jié)寬帶雙極射頻晶體管 (HBT)，具有集成 ESD 保護(hù)功能 ? 高端 RF 性能與穩(wěn)健性的獨特組合：21 dBm 最大 RF 輸入功率，集成保護(hù)電路帶來 2 kV ESD 穩(wěn)健性 (HBM)\n? 高增益 Gms = 26 dB (2.4 GHz 時) 和 Gma = 20.5 dB (5.5 GHz 時)，3V，25 mA\n? 薄型小尺寸無引線封裝;

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Package：4-SMD，扁平引線；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP

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