NPN Silicon Germanium RF Transistor

Product Brief The BFP640F is linear very low noise wideband NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCE = 4.1 V and currents up to IC = 50 mA

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NPN Silicon Germanium RF Transistor

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Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

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Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

Product Brief The BFP640FESD is a very low noise wideband NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCEO = 4.1 V and currents up to IC = 50 mA.

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NPN Silicon Germanium RF Transistor

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Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

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低噪聲RF 管基

NPN硅鍺射頻晶體管 ? 高增益低噪聲射頻晶體管\n? 非常適合 CDMA 和 WLAN 應用\n? 高最大穩(wěn)定增益：Gms = 23 dB (1.8 GHz)\n? 70 GHz fT-硅鍺技術\n? 無鉛（符合 RoHS 標準）封裝;

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低噪聲RF 管基

BFP640FESD 是硅鍺碳 (SiGe:C) NPN 異質(zhì)結寬帶雙極射頻晶體管 (HBT)，采用塑料薄小扁平 4 針雙發(fā)射極封裝，帶有可見引線。該設備配有內(nèi)部保護電路，大大增強了對 ESD 和高 RF 輸入功率的抵抗能力。該設備結合了堅固性、非常高的射頻增益和低工作電流下的最低噪聲系數(shù)，可用于廣泛的無線應用。BFP640FESD 特別適合便攜式電池供電應用，因為降低功耗是該類應用的關鍵要求。設備設計支持高達 4.1 V 的集電極電壓。 ? 基于英飛凌可靠、高容量 SiGe:C 晶圓技術的堅固耐用的高性能低噪聲放大器\n? 最大射頻輸入功率高達 21 dBm\n? 1.5 GHz 時最大增益 Gms 典型值為 28.5 dB，2.4 GHz 時為 25 dB，30 mA\n? 提供精確的 SPICE GP 模型，可實現(xiàn)高效的在制品設計（參見第 6 章）\n? 薄、小、扁平、無鉛、無鹵素（符合 RoHS 標準）封裝，引腳可見;

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Package：4-SMD，扁平引線；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP

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Package：4-SMD，扁平引線；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP

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