低噪聲RF 管基

BFP640FESD 是硅鍺碳 (SiGe:C) NPN 異質(zhì)結(jié)寬帶雙極射頻晶體管 (HBT)，采用塑料薄小扁平 4 針雙發(fā)射極封裝，帶有可見(jiàn)引線。該設(shè)備配有內(nèi)部保護(hù)電路，大大增強(qiáng)了對(duì) ESD 和高 RF 輸入功率的抵抗能力。該設(shè)備結(jié)合了堅(jiān)固性、非常高的射頻增益和低工作電流下的最低噪聲系數(shù)，可用于廣泛的無(wú)線應(yīng)用。BFP640FESD 特別適合便攜式電池供電應(yīng)用，因?yàn)榻档凸氖窃擃悜?yīng)用的關(guān)鍵要求。設(shè)備設(shè)計(jì)支持高達(dá) 4.1 V 的集電極電壓。 ? 基于英飛凌可靠、高容量 SiGe:C 晶圓技術(shù)的堅(jiān)固耐用的高性能低噪聲放大器\n? 最大射頻輸入功率高達(dá) 21 dBm\n? 1.5 GHz 時(shí)最大增益 Gms 典型值為 28.5 dB，2.4 GHz 時(shí)為 25 dB，30 mA\n? 提供精確的 SPICE GP 模型，可實(shí)現(xiàn)高效的在制品設(shè)計(jì)（參見(jiàn)第 6 章）\n? 薄、小、扁平、無(wú)鉛、無(wú)鹵素（符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)）封裝，引腳可見(jiàn);

Infineon

英飛凌

Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

Product Brief The BFP640FESD is a very low noise wideband NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCEO = 4.1 V and currents up to IC = 50 mA.

文件：1.64277 Mbytes 頁(yè)數(shù)：28 Pages

INFINEON

英飛凌

Package：4-SMD，扁平引線；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP

INFINEON

英飛凌

HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor

HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor ● HiRel Discrete and Microwave Semiconductor ● High gain low noise RF transistor ● High maximum stable gain: Gms 24dB at 1.8 GHz ● Noise figure F = 0.8 dB at 1.8 GHz Noise figure F = 1.1 dB at 6 GHz ● Hermetically sealed microwave package

文件：136.06 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages

INFINEON

英飛凌

HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor

HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor ● HiRel Discrete and Microwave Semiconductor ● High gain low noise RF transistor ● High maximum stable gain: Gms 24dB at 1.8 GHz ● Noise figure F = 0.8 dB at 1.8 GHz Noise figure F = 1.1 dB at 6 GHz ● Hermetically sealed microwave package

文件：136.06 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages

INFINEON

英飛凌

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：438.86 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages

BELLING

上海貝嶺