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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BFG505SLASHX	文件：148.94 Kbytes Page：16 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/tmk/marking.html">tMK；Package：SOT-143B；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343N plastic package. FEATURES ? High power gain ? Low noise figure ? High transition frequency ? Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end applications in the GHz range, su 文件：148.94 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	PHI PHI	PHI
BFG505SLASHX	文件：306.4 Kbytes Page：13 Pages	絲印：-MK；Package：SOT-143B；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143B plastic package. FEATURES ? High power gain ? Low noise figure ? High transition frequency ? Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end applications in the GHz range, 文件：306.4 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	恩XP	恩XP
BFG505SLASHX	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/tmk/marking.html">tMK；Package：SOT-143B；RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 頁數(shù)：130 Pages	恩XP	恩XP
BFG505W	文件：148.94 Kbytes Page：16 Pages	NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343N plastic package. FEATURES ? High power gain ? Low noise figure ? High transition frequency ? Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end applications in the GHz range, su 文件：148.94 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	PHI PHI	PHI
BFG505W	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 頁數(shù)：130 Pages	恩XP	恩XP
BFG505W/X	文件：148.94 Kbytes Page：16 Pages	NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343N plastic package. FEATURES ? High power gain ? Low noise figure ? High transition frequency ? Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end applications in the GHz range, su 文件：148.94 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	PHI PHI	PHI
BFG505WSLASHX	文件：148.94 Kbytes Page：16 Pages	NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343N plastic package. FEATURES ? High power gain ? Low noise figure ? High transition frequency ? Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end applications in the GHz range, su 文件：148.94 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	PHI PHI	PHI
BFG505W-X	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 頁數(shù)：130 Pages	恩XP	恩XP
BFG505W-XR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 頁數(shù)：130 Pages	恩XP	恩XP
BFG505-X	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 頁數(shù)：130 Pages	恩XP	恩XP

晶體管資料

型號(hào)：
BFG505
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_超高頻/特高頻（UHF）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
20V
最大電流允許值：
0.018A
最大工作頻率：
9GHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
H-17
vtest：
20
htest：
9000000000
atest：
0.018
wtest：
0

技術(shù)參數(shù)

VCEO(V)：
15
ICM(mA)：
18
PT(W)：
0.15
2(dB)：
17
NF(dB)：
1.6
GUM(dB)：
20
@Vce(V)：
6
@Ic(mA)：
5
@fT(GHz)：
0.9
Package：
SOT143B
兼容型號(hào)：
BFG505;/X

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	BFG505	恩XP	25+	SOT143	20300	NXP/恩智浦原裝特價(jià)BFG505即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	BFG505	恩XP	2025+	SOT143	5000	原裝進(jìn)口價(jià)格優(yōu) 請(qǐng)找坤融電子!	詢價(jià)
深圳誠思涵科技有限公司	BFG505	PHL	16+	SOT-143	10000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)!	詢價(jià)
深圳市榮澤信電子科技有限公司	BFG505	PHI	23+	SMD	3000	全新原裝深圳現(xiàn)貨庫存,特價(jià)·	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BFG505	恩XP	24+	SOT-143SOT-23-4	102700	新進(jìn)庫存/原裝	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	BFG505	PHL	17+	SOT-143	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	BFG505	恩XP	23+	SOT-143-4	12800	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
芯有半導(dǎo)體（深圳）有限公司	BFG505	PHI	05+	原廠原裝	24051	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	BFG505	SOT-143	23+	NA	15659	振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!	詢價(jià)
深圳市拓億芯電子有限公司	BFG505	PHI	25+	SOT143	15000	全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)

更多BFG505供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 9:05:00

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