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    BD135TG

    Plastic Medium-Power Silicon NPN Transistors

    文件:86.22 Kbytes 頁數(shù):4 Pages

    ONSEMI

    安森美半導體

    BD135TG

    Package:TO-225AA,TO-126-3;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 45V 1.5A TO126

    ONSEMI

    安森美半導體

    BD135-TU

    TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

    FEATURES High Current Complement To BD136, BD138 And BD140

    文件:1.68264 Mbytes 頁數(shù):4 Pages

    DGNJDZ

    南晶電子

    BF135

    2.00mm Pitch Pin Header,Dual Row, Surface Mount,Horizontal

    文件:103.88 Kbytes 頁數(shù):1 Pages

    GCT

    BFG135

    NPN 7GHz wideband transistor

    DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic SOT223 envelope, intended for wideband amplifier applications. The small emitter structures, with integrated emitter-ballasting resistors, ensure high output voltage capabilities at a low distortion level. The distribution of t

    文件:107.15 Kbytes 頁數(shù):12 Pages

    PHI

    PHI

    PHI

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號:

      BD135TG

    • 制造商:

      onsemi

    • 類別:

      分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

    • 包裝:

      卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

    • 晶體管類型:

      NPN

    • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

      500mV @ 50mA,500mA

    • 電流 - 集電極截止(最大值):

      100nA(ICBO)

    • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

      40 @ 150mA,2V

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-225AA,TO-126-3

    • 供應商器件封裝:

      TO-126

    • 描述:

      TRANS NPN 45V 1.5A TO126

    供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
    onsemi(安森美)
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    TO-225-3
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    全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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    更多BD135TG供應商 更新時間2026-1-22 23:00:00

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