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首頁 >BC3>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BC337	文件：215.03 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for driver and output stage of audio amplifiers. 文件：215.03 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
BC337	文件：224.06 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Transistors (NPN) FEATURES ? NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. ? These types are also available subdi vided into three groups -16, -25, and -40, according to their DC current 文件：224.06 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	GE	GE
BC337	文件：38.82 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.8 A Collector-base voltage VCBO: BC337 50 V BC338 30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：38.82 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
BC337	文件：140.01 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR THE BC337, BC338 ARE NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS FOR USE IN AF DRIVER AND OUTPUT STAGES, AS WELL AS FOR UNIVERSAL APPLICATIONS. THE BC337, BC338 ARE COMPLEMENTARY TO THE PNP TYPE BC327, BC328 RESPECTIVELY. 文件：140.01 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
BC337	文件：167.68 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 0.625 W（Tamb=25℃） Collector current ICM : 0.8 A Collector-base voltage V(BR)CBO : BC337 50 V Operating and storage junction temperature range TJ，Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：167.68 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BC337.25	文件：33.1 Kbytes Page：3 Pages	Switching and Amplifier Applications Switching and Amplifier Applications ? Suitable for AF-Driver stages and low power output stages ? Complement to BC327/BC328 文件：33.1 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
BC337_V01	文件：288.81 Kbytes Page：7 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features ? Switching and Amplifier Applications ? Suitable for AF-Driver Stages and Low-Power Output Stages ? Complement to BC327 / BC328 文件：288.81 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
BC337-025G	文件：146.67 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features ? These are Pb?Free Devices 文件：146.67 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
BC337-040G	文件：146.67 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features ? These are Pb?Free Devices 文件：146.67 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
BC33716	文件：33.1 Kbytes Page：3 Pages	Switching and Amplifier Applications Switching and Amplifier Applications ? Suitable for AF-Driver stages and low power output stages ? Complement to BC327/BC328 文件：33.1 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD

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晶體管資料

型號(hào)：
BC300(-4...-6)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_TR_輸出極（E）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
120V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2N2243,2N2405,2N3019,2N3020,3DA87C,
最大耗散功率：
0.85W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
C-40
vtest：
120
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.85

技術(shù)參數(shù)

L Leak (μH) Max：
2
Input Voltage (V)：
220-420
Output Voltage(V)：
200-430
Weight (g)：
350
Power (kW)：
3.5

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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