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首頁 >BC3>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BC328	文件：215.03 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for driver and output stage of audio amplifiers. 文件：215.03 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
BC328	文件：154.74 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications These types are subdivided into three groups -16, -25 and -40, according to their DC current gain. 文件：154.74 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半導(dǎo)體	SEMTECH_ELEC
BC328	文件：143.83 Kbytes Page：6 Pages	PNP Silicon AF Transistors (High current gain High collector current Low collector-emitter saturation voltage) PNP Silicon AF Transistors ● High current gain ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC 337, BC 338 (NPN) 文件：143.83 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BC328	文件：241.31 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors (PNP) FEATURES Power dissipation 文件：241.31 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	TGS	TGS
BC328	文件：80.67 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications These types are subdivided into three groups -16, -25 and -40, according to their DC current gain. 文件：80.67 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	DGNJDZ 南晶電子	DGNJDZ
BC328	文件：83.65 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES ? High Current : IC=-800mA. ? DC Current Gain : hFE=100 630 (VCE=-1V, Ic=-100mA). ? For Complementary with NPN type BC337. 文件：83.65 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	FS	FS
BC328-16	文件：143.83 Kbytes Page：6 Pages	PNP Silicon AF Transistors (High current gain High collector current Low collector-emitter saturation voltage) PNP Silicon AF Transistors ● High current gain ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC 337, BC 338 (NPN) 文件：143.83 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BC328-16	文件：143.32 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) Mechanical Data 1) (1) Taped in ammo pack 4000 (Raster 2.54) (2) On reque 文件：143.32 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	DIOTEC 德歐泰克	DIOTEC
BC328-16	文件：341.41 Kbytes Page：3 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features ? Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) ? Capable of 0.625Watts of Power Dissipation. ? Collector-current : -0.8A ? Collector-base Voltage :VCBO=-50V(BC327) , VCBO=-30V(BC328) ? Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating ? 文件：341.41 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	MCC	MCC
BC328-16	文件：160.89 Kbytes Page：4 Pages	Amplifier Transistors(PNP) 文件：160.89 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA

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晶體管資料

型號(hào)：
BC300(-4...-6)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_TR_輸出極（E）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
120V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2N2243,2N2405,2N3019,2N3020,3DA87C,
最大耗散功率：
0.85W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
C-40
vtest：
120
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.85

技術(shù)參數(shù)

L Leak (μH) Max：
2
Input Voltage (V)：
220-420
Output Voltage(V)：
200-430
Weight (g)：
350
Power (kW)：
3.5

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市正邁科技有限公司	BC369	FSC/ON	23+	原包裝原封 □□	24734	原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) 特價(jià)，原裝元器件供應(yīng)，支持開發(fā)樣品更多詳細(xì)咨詢庫(kù)存	詢價(jià)
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諦輝(北京/上海/青島 )電子科技有限公司	BC33740TA	FAIRCHILD	25+	DIP-28	18000	原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝	詢價(jià)
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更多BC3供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 16:48:00

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