首頁 >APT85GR120JD60>規(guī)格書列表
| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
APT85GR120JD60 | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7? MOSFET Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses alon 文件：2.83333 Mbytes 頁數(shù)：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT85GR120JD60 | Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 頁數(shù)：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT85GR120JD60 | NPT IGBT & Trench IGBT ROHS | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
APT85GR120JD60 | Package：SOT-227-4，miniBLOC；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227 | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
APT85GR120JD60
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
NPT
- 配置：
單路
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，85A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
無
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
SOT-227-4，miniBLOC
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-227
- 描述：
IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip Technology |
24+ |
Module |
1262 |
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Microsemi |
25+23+ |
SOT-227 |
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原裝正品 |
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SOT-227 |
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Microsemi Corporation |
22+ |
SOT227 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
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Microsemi Corporation |
2022+ |
SOT-227 |
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
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Microchip Technology |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
2000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨直銷 |
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