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| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
APT85GR120L | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7? MOSFET Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses alon 文件：2.83333 Mbytes 頁數(shù)：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT85GR120L | Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 頁數(shù)：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT85GR120L | NPT IGBT & Trench IGBT ROHS | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
APT85GR120L | Package：TO-264-3，TO-264AA；包裝：托盤 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 170A 962W TO264 | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
APT85GR120L
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
托盤
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，85A
- 開關(guān)能量：
6mJ（開），3.8mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
43ns/300ns
- 測試條件：
600V，85A，4.3 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-264-3，TO-264AA
- 供應商器件封裝：
TO-264
- 描述：
IGBT 1200V 170A 962W TO264
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi |
25+23+ |
TO264 |
22553 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
MICROSEMI |
638 |
原裝正品 |
詢價 | ||||
Microch |
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Microsemi Corporation |
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TO264 |
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
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MICROSEMI |
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MICROSEMI |
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