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首頁 >APT8020B2FLLG>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
APT8020B2FLLG	文件：300 bytes Page：1 Pages	FREDFETs ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
APT8020B2LL	文件：372.39 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 38A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.2Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：372.39 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
APT8020B2LL	文件：160.4 Kbytes Page：5 Pages	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. 文件：160.4 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ADPOW	ADPOW
APT8020B2LL	文件：69.98 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. POWER MOS 7? Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7TMby significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7TM combines lower conduction and switching losses along wit 文件：69.98 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ADPOW	ADPOW

詳細(xì)參數(shù)

型號：
APT8020B2FLLG
功能描述：
MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
POWER MOS 7®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	APT8020B2FLLG	Microch	20+	NA	33560	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	APT8020B2FLLG	JINGDAO/晶導(dǎo)微	23+	SOD123	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	APT8020B2LL	APT	24+		8866		詢價(jià)
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更多APT8020B2FLLG供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 20:45:00

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