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APT8018	文件：78.22 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V? Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. ? TO-2 文件：78.22 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT8018	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.	APT 晶科電子	APT
APT8018JN	文件：78.22 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V? Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. ? TO-2 文件：78.22 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT8018JN	文件：60.07 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS POWER MOS IV? SINGLE DIE ISOTOP? PACKAGE N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 文件：60.07 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT8018L2VFR	文件：136.87 Kbytes Page：4 Pages	POWER MOS V FREDFET POWER MOS V? FREDFET Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. 文件：136.87 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT8018L2VR	文件：78.22 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V? Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. ? TO-2 文件：78.22 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT8018L2VR	文件：158.42 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 文件：158.42 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT8018L2VR_06	文件：158.42 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 文件：158.42 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT8018L2VFR	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	APT 晶科電子	APT
APT8018L2VR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.	Microchip 微芯科技	Microchip

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
APT8018
制造商：
ADPOW
制造商全稱：
Advanced Power Technology
功能描述：
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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