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APT6030BN	文件：51.11 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS POWER MOS IV? N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 文件：51.11 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT6030BN	文件：123.97 Kbytes Page：4 Pages	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS TRANSISTORS FEATURE N channel in a plastic TO-3PML package. Compliance to RoHS. 文件：123.97 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	COMSET	COMSET
APT6030BNR	文件：360.6 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.3Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：360.6 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
APT6030BN	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset

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更多APT6030BN供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 16:30:00