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APT6040BVR	文件：59.84 Kbytes Page：4 Pages	POWER MOS V POWER MOS V? Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. ? Fast 文件：59.84 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT6040BVR	文件：337.51 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：337.51 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
APT6040BVR	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	APT 晶科電子	APT
APT6040BVRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Legacy Power Discretes & Modules ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip

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更多APT6040BVR供應(yīng)商更新時間2026-1-19 14:03:00