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APT5024BLLG	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
APT5024BVFR	文件：61.82 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. ? Fast Recovery Body 文件：61.82 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5024BVFR	文件：419.42 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：419.42 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
APT5024BVR	文件：59.34 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V? Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. ? Fast 文件：59.34 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	ADPOW	ADPOW

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
APT5024BLLG
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
POWER MOS 7®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多APT5024BLLG供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-23 8:01:00

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