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APT5030AN	文件：309.78 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.3Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：309.78 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
APT5030AN	文件：371.04 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 文件：371.04 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5030AVR	文件：61.6 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 文件：61.6 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5030BN	文件：51.14 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS POWER MOS IV? N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 文件：51.14 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5030BN	文件：344.69 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current :ID= 21A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching 文件：344.69 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC

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更多APT5030AN供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 14:14:00