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首頁 >APT5020BVRG>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
APT5020BVRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
APT5020DN	文件：434.17 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=26A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.2Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·Designed for use in switch mode p 文件：434.17 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
APT5020SLC	文件：35.77 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Power MOS VI? is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge is achieved by optimizing the manufacturing process to minimize Ciss and Crss. Lower gate charge coupled with Power MOS VI? optimized gate layout, delivers exceptionall 文件：35.77 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5020SVFR	文件：64.489 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. ? Fast Recovery Body 文件：64.489 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ADPOW	ADPOW

詳細參數(shù)

型號：
APT5020BVRG
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247
RoHS：
是
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
POWER MOS V®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多APT5020BVRG供應商更新時間2026-1-21 9:38:00

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