首頁 >APT31M100B2>規(guī)格書列表
| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
APT31M100B2 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：372.35 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
APT31M100B2 | N-Channel MOSFET 文件：381.9 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT31M100B2 | N-Channel MOSFET 文件：115.19 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT31M100B2 | MOSFET | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
N-Channel MOSFET 文件：115.19 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI |
詳細參數(shù)
- 型號：
APT31M100B2
- 功能描述：
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
POWER MOS 8™
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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詢價 | ||
MICROSEMI |
25+ |
TO-247 |
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Microsemi Corporation |
22+ |
TO2473 Variant |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
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Microsemi Corporation |
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TO-247-3 變式 |
38550 |
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25+ |
T-MAX |
12300 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
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APT |
24+ |
TO-3PL-3 |
8866 |
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Microse |
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MICROSEMI |
638 |
原裝正品 |
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N/A |
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