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APT34N80LC3	文件：329.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 34A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.145Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：329.05 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
APT34N80LC3	文件：256.329 Kbytes Page：5 Pages	Super Junction MOSFET 文件：256.329 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
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