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AOP609	文件：153.66 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOP609 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. Standard Product AOP609 is Pb free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOP609L 文件：153.66 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	AOSMD 萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOP609	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：Complementary AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美國萬代	AOS
AOP609L	文件：153.66 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOP609 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. Standard Product AOP609 is Pb free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOP609L 文件：153.66 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	AOSMD 萬國半導(dǎo)體	AOSMD
APT609RKVR	文件：298.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 1A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 9Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：298.04 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
AR609	文件：304.49 Kbytes Page：4 Pages	RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE Repetitive voltage up to 600 V Mean forward current 5380 A Surge current 50.4 kA 文件：304.49 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	POSEICO	POSEICO
AR609LT	文件：165.82 Kbytes Page：4 Pages	RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE Repetitive voltage up to 600 V Mean forward current 6825 A Surge current 60 kA 文件：165.82 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	POSEICO	POSEICO

詳細(xì)參數(shù)

型號：
AOP609
功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-PDIP
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列：
-
產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個(gè) N 溝道（雙） FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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